[发明专利]对层间电介质进行可靠性分析的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210558925.9 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887280A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 苏捷峰;李德勇;郭晓超 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对层间电介质进行可靠性分析的测试结构及测试方法，所述测试结构至少包括形成于衬底上的多晶硅结构及绝缘介质结构、第一接触线结构，第一金属条结构、第二接触线结构、第二金属条结构、及层间电介质。本发明可以快速有效地检测位于金属化层之下的多晶硅结构及接触线之间层间电介质的可靠性；本发明的测试结构是与晶圆上受测试的集成电路器件一同形成的，不需要额外的掩膜版；本发明的测试结构与集成电路设计相兼容，遵循集成电路中的最小设计准则，且本发明的测试结构与集成电路的器件尺寸设计要求一致，可以真实反应器件中层间电介质的可靠性；本发明的测试结构可以形成在晶圆切割道处，不占用形成集成电路器件的芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 进行 可靠性分析 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：形成于衬底上的多晶硅结构及绝缘介质结构；第一接触线结构，一端连接于所述衬底上的绝缘介质结构；第一金属条结构，连接于所述第一接触线结构的另一端，所述第一金属条结构用于连接偏置电压；第二接触线结构，一端连接于所述多晶硅结构；第二金属条结构，连接于所述第二接触线结构的另一端，所述第二金属条结构用于连接偏置电压；其中，相邻的第一金属条结构和第二金属条结构之间的距离大于相邻的第一接触线结与多晶硅结构之间的距离；层间电介质，覆盖于所述形成有多晶硅结构及绝缘介质结构的衬底上，且所述层间电介质中形成有所述的第一接触线结构、第二接触线结构、第一金属条结构及第二金属条结构，其中，所述层间电介质至少使所述多晶硅结构和第一接触线结构之间、所述第一接触线结构和第二接触线结构之间、及第一金属条结构和第二金属条结构之间形成隔离；所述测试结构对位于所述多晶硅结构与第一接触线结构之间的层间电介质进行检测。
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