[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210558990.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022306A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;林素慧;郑建森;洪灵愿;刘传桂;欧毅德;陈功 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有透明导电层的发光二极管及其制作方法，其发光二极管，包括：衬底；发光外延层，由从下至上依次为第一限制层、发光层和第二限制层的半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；电流阻挡层，形成于所述发光外延层的局部区域之上；透明导电结构，形成于所述电流阻挡层之上并延伸至所述发光外延层的表面，划分为出光区和非出光区，其中非出光区与电流阻挡层对应，其厚度大于出光区的厚度，使得该结构与发光外延层形成良好的欧姆接触且减少对光的吸收；P电极，形成于透明导电结构的非出光区之上。该结构可以保证电流扩展性，降低工作电压且减少对光的吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：衬底；发光外延层，由从下至上依次为第一限制层、发光层和第二限制层的半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；电流阻挡层，形成于所述发光外延层的局部区域之上；透明导电结构，形成于所述电流阻挡层之上并延伸至所述发光外延层的表面，划分为出光区和非出光区，其中非出光区与电流阻挡层对应，其厚度大于出光区的厚度，该透明导电结构保证电流扩展性，降低工作电压且减少对光的吸收；P电极，形成于透明导电结构的非出光区之上。
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