[发明专利]一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法无效
| 申请号： | 201210559514.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102977851A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 苏建修;洪源;宁欣;马利杰;丛晓霞;胡志刚;姚建国;刘幸龙 | 申请（专利权）人： | 河南科技学院 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 吕振安 |
| 地址： | 453003 河南省新*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法。本发明的技术方案要点是，先按比例称量选取磨料；分散剂；助研剂；润滑剂；增稠剂；辅助剂；先用助研剂，充分混合，如需加热，则加热至溶化，搅拌均匀，待用；加入增稠剂，加热至90～100℃，待完全溶化后，加入润滑剂、调和剂及分散剂，搅拌均匀；加入所需的磨料微粉，根据磨料微粉粒度用相应的筛网进行筛过，使其疏松与均匀，待用；将先前配制的助研剂与配制好的混合物进行混合；加热并搅拌，待加热温度在60～80℃时，加入中备好的磨料微粉，充分搅拌，并加入辅助剂，搅拌均匀后，让其自然冷却成膏。本发明所制得的研磨膏具备良好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶片 研磨 工序 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：当制作 100g研磨膏时各组份所占的重量份如下：磨料 5g～30g；分散剂 5g～30g；助研剂 5g～25g；润滑剂 5g～25g；增稠剂 5g～25g；辅助剂 1g～5g；调和剂 1g～15g。
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