[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201210559560.1 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103050446A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分栅快闪存储器及其形成方法。其中，分栅快闪存储器的形成方法包括在衬底上依次形成第一介质层、浮栅层；浮栅层上形成分立的第二介质层，第二介质层所在区域为字线区；第二介质层周围形成第一侧墙，相邻第一侧墙间区域为源极线区；以第一侧墙为掩膜，刻蚀浮栅层和第一介质层至衬底；在源极线区形成源极线；去除第二介质层、及第二介质层下的浮栅层和第一介质层，形成浮栅和浮栅介质层；在与字线区相邻的浮栅顶部尖端处下的浮栅和浮栅介质层侧壁形成第三介质层；形成隧穿介质层，覆盖衬底、第三介质层、浮栅、第一侧墙和源极线表面；在字线区隧穿介质层上形成字线。本发明的方法能提高擦除性能、降低施加在浮栅的电压、节省功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层，在所述浮栅层上形成分立的第二介质层，第二介质层所在的区域为字线区；在所述第二介质层周围形成第一侧墙，相邻两个第一侧墙之间的区域为源极线区；以第一侧墙为掩膜，刻蚀所述浮栅层和第一介质层至半导体衬底；在源极线区形成源极线；去除第二介质层、及第二介质层下面的浮栅层和第一介质层，形成浮栅和浮栅介质层；在与所述字线区相邻的浮栅顶部尖端处以下的浮栅侧壁和浮栅介质层侧壁形成第三介质层；形成隧穿介质层，覆盖半导体衬底、第三介质层、浮栅、第一侧墙和源极线表面；在字线区的隧穿介质层上形成字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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