[发明专利]具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210560021.X | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022111A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 赵悦;付军;王玉东;崔杰;张伟;刘志弘;李高庆;许平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品集电极串联电阻过大的问题而设计。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管包括衬底、N-外延层、锗硅外延层、发射区引出端、外基区引出端、发射极引出电极、集电极引出电极、以及基极引出电极。集电极引出电极嵌入衬底的背面且分别对应发射极引出电极和基极引出电极。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法可用于同质外延也可用于异质外延(SOS技术)的双极晶体管，且简化了晶体管的加工工艺。制备得到的产品保证较高的击穿电压，减小集电极串联电阻，保持较小的传输延迟时间，提高器件的工作频率，降低饱和压降，使得晶体管可以在大电流下应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 集电区 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有低电阻集电区的双极晶体管，包括衬底，生长在所述衬底正面的外延层，形成在所述外延层上的发射区引出端和外基区引出端，连接所述发射区引出端的发射极引出电极，以及连接所述外基区引出端的基极引出电极；其特征在于：还包括形成在所述衬底背面的集电极引出电极；所述集电极引出电极嵌入衬底且分别对应所述发射极引出电极和基极引出电极。
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