[发明专利]一种碳化硼碳化硅复合陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201210560943.0 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103030396A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 王为民;张志晓;杜贤武;傅正义 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/563 | 分类号: | C04B35/563;C04B35/78;C04B35/622 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备碳化硼碳化硅复合陶瓷的方法,属于陶瓷材料技术领域。一种碳化硼碳化硅复合陶瓷,它由碳化硼、碳粉和硅粉三元混合粉体经过机械合金化后,再由反应热压技术烧结而成,按重量百分比计所述的三元混合粉体中包括碳化硼粉体50%-90%,碳粉15%-3%,硅粉35%-7%,所述碳粉和硅粉的摩尔比为0.8-1.2。本发明无需添加液相助烧剂即可在较低温度下获得高密实度的碳化硼碳化硅复合陶瓷。碳和硅在烧结过程中原位合成的碳化硅纯度高,晶粒细小,分散均匀,有利于提高该陶瓷的机械性能。因此,本发明制备的碳化硼碳化硅复合陶瓷密实度高、硬度高、高温机械性能好,可作为精密结构工程的抗冲击及耐磨部件。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化 碳化硅 复合 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳化硼碳化硅复合陶瓷,其特征在于它由碳化硼、碳粉和硅粉三元混合粉体经过机械合金化后,再由反应热压技术烧结而成,按重量百分比计所述的三元混合粉体中包括碳化硼粉体50%‑90%,碳粉15%‑3%,硅粉35%‑7%,所述碳粉和硅粉的摩尔比为0.8‑1.2。
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