[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置及其制造方法。本发明提供小型的具备沟槽构造的纵型MOS晶体管。在以固定间隔连续的沟槽间的衬底以及随后设置源高浓度扩散层的硅表面区域内生成STI的氧化膜，在形成沟槽之后去除，并形成比周围表面低的区域，由此能够使填埋在具有侧间隔体的具备沟槽构造的纵型MOS晶体管的沟槽的栅电极上的硅化物与设置于衬底以及源高浓度扩散层上的硅化物分离，由此可进行用于面积缩小的沟槽的尺寸缩小以及半导体装置的高驱动性能化。

主权项

一种半导体装置，其具有半导体衬底上设置的沟槽构造的纵型MOS晶体管，其特征在于，在沟槽内填埋了栅电极，在围着所述沟槽的所述半导体衬底表面上设置有源电极，所述源电极在与所述栅电极的邻接部具有所述半导体衬底的表面向上方隆起的隆起部，在与所述栅电极的邻接部的外侧具有平坦的表面，所述源电极完全占据所述隆起部的内部，并且与在所述隆起部的外侧具有所述平坦的表面的部分连续地连接，与具有所述平坦的表面的所述源电极连续而邻接地设置有衬底电位扩散层，所述栅电极具有比所述源电极的隆起部更向上方突出的突出部，在所述栅电极的突出部的周围，在所述隆起部上设置有侧间隔体，在所述源电极以及所述栅电极的上表面具有硅化物层，在所述硅化物层上层叠有层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜上，通过贯穿该层间绝缘膜的接触孔而形成有源衬底共同电位布线以及栅电位布线。