[发明专利]一种GaN基白光倒装芯片的制备方法

摘要

本发明提提供一种不受生长衬底限制的GaN基白光倒装芯片的制备方法。本发明采用两次衬底转移工艺，解除了GaN基倒装芯片对生长衬底的限制，同时将半导体多层结构固定在掺了荧光粉的透明永久支撑基板上，从而得到直接发白光的GaN基LED倒装芯片，能大幅降低封装成本及提高封装良率。

主权项

一种GaN基白光倒装芯片的制备方法，包括：在生长衬底上依次生长缓冲层、n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成GaN基半导体多层结构；在所述半导体多层结构上制备P、N电极，所述P、N电极在半导体多层结构的同一侧，且通过不导电的介质膜隔离开；在所述半导体多层结构上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；所述第一胶的固化后邵氏硬度80—100D，耐温度范围‑25—300℃，拉弯强度80‑‑120MPa，压缩强度200—300MPa；将所述生长衬底剥离掉；在剥离后暴露的半导体多层结构表面涂第二胶，与永久支撑基板结合；所述第二胶的耐温范围‑55－+200℃，拉伸强度60‑100MPa，拉弯强度105‑200MPa；去掉第一临时基板和第一胶；其中所述永久支撑基板为掺了荧光粉的陶瓷或玻璃透明基板。