[发明专利]一种制备非晶硅/非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置

摘要

本发明公开一种制备非晶硅/非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置，包括真空室及其内设置的等离子发生器，等离子发生器内装有与射频电源相连接的第一电极板和接地的第二电极板，接地的第二电极板设计成“V”字结构，“V”字开口朝向第一电极板，“V”字结构第二电极板分为上板和下板，第二电极板上开设孔径自上至下逐渐增大的气孔，通过将用于产生等离子体的电极板设计成非平行的结构，实现等离子体区域中电场强度沿气体流动方向上的不均匀分布，并通过工艺过程中对不同位置处的气体进行差异化的补偿，达到对锗烷由上至下逐步分解、均匀沉积的目的，实现所制备的膜层组份均匀，显著提升电池的光电转换效率。

主权项

一种制备非晶硅/非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置，所述非晶硅/非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜包括两个PIN结，第一个PIN结的I层为非晶硅薄膜，第二个PIN结的I层为非晶锗硅薄膜，两个PIN结的P层与N层均为非晶硅薄膜，所述装置包括真空室，真空室内设有等离子发生器，真空室的顶部开设进气口，真空室的底部连接真空泵，等离子发生器内装有与射频电源相连接的第一电极板和接地的第二电极板，电极板的上下端通过卡槽固定，电极板的上端设有进气孔，所述进气孔分布于第二电极板的外侧和内侧，射频电源由第一电极板的中部注入，用于沉积薄膜的玻璃基板置于第一电极板与第二电极板之间形成等离子体的区域，工艺气体由所述进气口注入，自上而下流过所述形成等离子体的区域，由真空室底部的真空泵抽出，其特征在于，所述接地的第二电极板设计成“V”字结构，“V”字开口朝向第一电极板，“V”字结构第二电极板分为上板和下板，第二电极板上开设孔径自上至下逐渐增大的气孔。