[发明专利]磁传感装置的制造工艺有效
申请号: | 201210563687.0 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103887427A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 磁感科技香港有限公司 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;G01R33/09 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
地址: | 中国香港湾仔告士打*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本发明揭示了一种磁传感装置的制造工艺,包括:在基底上沉积介质材料,形成介质材料层;在介质材料层上开沟槽;在介质材料层上沉积第二介质材料层;在第二介质材料层上依次沉积磁性材料和电极材料,分别形成沉积磁性材料层和电极材料层;沉积光刻胶,曝光,显影;刻蚀,去除部分磁性材料和电极材料;去除光刻胶;沉积第三介质材料;通过刻蚀,去除部分第三介质材料,仅在角落保留介质材料,形成介质材料侧壁保护层;在感应单元的磁性材料层上沉积第二电极材料并光刻,形成第二电极;填充介质材料,配合化学机械抛光进行平坦化,并且通过半导体工艺,引出第二电极。本发明提出的磁传感装置的制造工艺,可在同一个圆晶或芯片上制备三轴磁感应器件。 | ||
搜索关键词: | 传感 装置 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种磁传感装置的制造工艺,其特征在于,所述制造工艺包括如下步骤:步骤S1:在基底上沉积介质材料,形成介质材料层;步骤S2:在介质材料层上开沟槽;步骤S3:在介质材料层上沉积第二介质材料层;步骤S4:在第二介质材料层上依次沉积磁性材料和电极材料,分别形成磁性材料层和电极材料层,随后进行退火;电极材料层同时作为磁性材料层的保护层;步骤S5:沉积光刻胶,曝光,显影;步骤S6:刻蚀,去除部分磁性材料和电极材料;步骤S7:去除光刻胶;在第二介质材料层上分别形成感应单元的磁性材料层、导磁单元;导磁单元的主体部分形成于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面,用以感应第三方向的磁场信号,并将该磁场信号输出;感应单元的磁性材料层形成于沟槽外,用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁场信号,并根据该磁场信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向;感应单元的磁性材料层测量第一方向或/和第二方向的磁场,将测量第三方向的磁场引导到测量第一方向或/和第二方向对应的磁场;第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直;步骤S8:沉积第三介质材料;步骤S9:通过刻蚀,去除部分第三介质材料,仅在磁性材料和电极材料图形的角落保留介质材料,形成介质材料侧壁保护层,保护磁性材料层;步骤S10:在感应单元的磁性材料层上沉积第二电极材料并光刻,形成第二电极层;步骤S11:填充第二介质材料,配合化学机械抛光进行平坦化,并且通过半导体工艺,引出第二电极。
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