[发明专利]一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域。有源区域设有多个第一沟槽，第一沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第一终端区域设有多个第三沟槽，第三沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第二终端区域设有至少一个第二沟槽，第二沟槽内为具有高介电常数的绝缘材料。第二电极连接有源区域的第一沟槽，覆盖在有源区域、第一终端区域、第二终端区域之上。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。

主权项

1.一种结终端的制备方法，其特征在于：所述结终端适用于深槽超结器件的结终端，所述结终端包括：半导体基底；第一电极，形成于所述半导体基底的下端面；半导体区域，形成于所述半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，所述半导体区域包括：‑有源区域，设有多个第一沟槽，第一沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；‑第一终端区域，设有多个第三沟槽，第三沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；‑第二终端区域，设有至少一个第二沟槽，第二沟槽内为具有高介电常数的绝缘材料；所述有源区域、第一终端区域、第二终端区域依次排列；第二电极，其连接有源区域的第一沟槽，覆盖在所述有源区域、第一终端区域、第二终端区域之上；所述制备方法包括如下步骤：步骤S1：在浓掺杂的半导体基底上生长半导体区域；随后在半导体区域上刻蚀第二终端区域的第二沟槽，第二沟槽的深度和宽度尺寸由器件耐压和衬底掺杂浓度确定；然后通过淀积二氧化硅的方法完成第二终端区域沟槽的填充，随后通过化学机械抛光CMP去除多余二氧化硅；步骤S2：进行有源区域的第一沟槽和第一终端区域的第三沟槽的刻蚀，生长深槽刻蚀阻挡层或化学机械抛光CMP研磨阻挡层；然后定义第一沟槽/第三沟槽的刻蚀区域，进行深槽刻蚀，刻蚀后去除部分或全部硬掩膜；然后进行外延生长填充沟槽；外延填充后进行化学机械抛光CMP平坦化，平坦化后完全去除硬掩膜；步骤S3：继续进行MOS正面工艺，场氧生长、刻蚀，栅氧生长，多晶硅栅淀积、刻蚀，P阱注入、退火，铝下介质淀积，孔刻蚀，而后淀积第二电极材料并进行图形化刻蚀；最后对半导体基底进行背面减薄并形成第一电极，由此完成了一种深槽超结MOS的制作。