[发明专利]一种高压倒装LED芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210564002.4 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022334A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 姚陆军;于洪波;武乐可;于婷婷;毕少强 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种高压倒装LED芯片及其制造方法，所述LED芯片的制造方法在刻蚀外延层，形成电极孔洞阵列之后；利用激光切割外工艺切割外延层至衬底，形成隔离槽，隔离出发光单元；然后在P型氮化镓层上形成金属反射镜层；在金属反射镜层和电极孔洞阵列内形成绝缘层，在所述绝缘层中形成开口，露出电极孔洞阵列内的N型氮化镓和部分金属反射镜层；在开口中形成接触电极；将衬底通过接触电极与形成有电路的基板倒装焊接，形成倒装器件；切割所述倒装器件，形成由多个发光单元组成的高压倒装LED芯片。有着工艺简单，器件可靠性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 倒装 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压倒装LED芯片的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括依次形成于衬底上的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；刻蚀所述外延层，形成电极孔洞阵列，所述电极孔洞阵列暴露出所述N型氮化镓层；利用激光切割外工艺切割外延层至衬底，形成隔离槽，隔离出发光单元；在所述P型氮化镓层上形成金属反射镜层；在所述金属反射镜层和电极孔洞阵列内形成绝缘层，并在所述绝缘层中形成开口，露出电极孔洞阵列内的N型氮化镓和部分金属反射镜层；在所述开口中形成接触电极；将所述衬底通过接触电极与形成有电路的基板倒装焊接，形成倒装器件；切割所述倒装器件，形成由多个发光单元组成的高压倒装LED芯片。
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