[发明专利]微机电系统压力传感器及其制作方法、微机电系统有效
申请号: | 201210564072.X | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103063351A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 黎坡 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01L9/12 | 分类号: | G01L9/12;B81C1/00;B81B3/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种微机电系统压力传感器及其制作方法、微机电系统,该方法在图形化敏感薄膜以形成释放开口的同时,在敏感薄膜内形成沟槽,部分沟槽与部分空腔交叠,在敏感薄膜上形成用于密封释放开口的覆盖层之后,填充在沟槽内的覆盖层内部会形成由空洞构成的第一通道,其上方设置有一个与其连通的第二通道,由此空腔可通过第一及第二通道与压力传感器的外部环境连通。这样,当将形成有第二通道的压力传感器置于气压为1个标准大气压、温度为常温的环境中之后即可使得空腔内的气压也为1个标准大气压,将第二通道密封之后可使得在常温条件下空腔内的气压固定在1个标准大气压,进而能够使压力传感器在测量大气压强时具有较佳的线性度及较大的测量范围。 | ||
搜索关键词: | 微机 系统 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种微机电系统压力传感器的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上设置有第一电极;在所述半导体衬底的部分区域上形成牺牲层,所述牺牲层至少与部分所述第一电极交叠;在所述牺牲层及所述牺牲层外的区域上形成适于用作第二电极的图形化的敏感薄膜,所述图形化的敏感薄膜内形成有释放开口及沟槽,所述释放开口的位置与所述牺牲层对应,所述沟槽的一部分与部分所述牺牲层交叠,其余部分设置在所述牺牲层外的区域上;通过所述释放开口及沟槽去除所述牺牲层,在所述牺牲层所在的位置形成空腔;在所述图形化的敏感薄膜、释放开口及沟槽上形成覆盖层,所述覆盖层将所述释放开口密封,填充在所述沟槽内的覆盖层内部形成有由空洞构成的第一通道,所述第一通道的一端与所述空腔连通;在所述第一通道上方形成穿过所述覆盖层并与压力传感器外部环境连通的第二通道,所述第二通道与所述第一通道的另一端连通。
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