[发明专利]确定铝金属栅芯片表面形貌的方法和系统有效
申请号: | 201210564162.9 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103123922A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 徐勤志;陈岚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种确定铝金属栅芯片表面形貌的方法和系统,根据化学机械研磨的研磨参数、研磨液中各成分与铝金属栅芯片表面发生的化学反应和研磨粒子对芯片表面机械去除反应的反应速率方程确定铝金属栅的平均研磨去除率;并根据铝金属栅芯片化学机械研磨时研磨垫形变分布,确定铝金属栅芯片表面压力分布,然后确定所述研磨液中各成分的浓度分布、所述铝金属栅芯片表面的机械去除反应的反应速率分布,确定铝金属栅的研磨去除率分布;根据所述研磨去除率分布,确定铝金属栅芯片表面高度分布。综合考虑有效研磨粒子机械去除、研磨液对芯片的化学动力学去除以及研磨过程中铝金属栅芯片表面压力分布,能够较准确的确定铝金属栅表面形貌。 | ||
搜索关键词: | 确定 金属 芯片 表面 形貌 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种确定铝金属栅芯片表面形貌的方法,其特征在于,包括步骤:提供铝金属栅芯片进行化学机械研磨的研磨参数;确定研磨液中各成分与铝金属栅芯片表面发生的化学反应和研磨粒子对铝金属栅芯片表面机械去除反应的反应速率方程,由所述反应速率方程确定铝金属栅的平均研磨去除率;根据铝金属栅芯片化学机械研磨时研磨垫形变分布,确定铝金属栅芯片表面压力分布;根据外部载荷和所述表面压力分布,确定所述研磨液中各成分的浓度分布、所述铝金属栅芯片表面的机械去除反应的反应速率分布;根据所述研磨液中各成分的浓度分布和所述机械去除反应的反应速率分布,确定铝金属栅的研磨去除率分布;根据所述研磨去除率分布,确定铝金属栅芯片表面高度分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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