[发明专利]存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法在审
申请号: | 201210564171.8 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103021468A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 吴玮 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/24 | 分类号: | G11C29/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法,其中,出错信息记录方法包括:对存储器进行区域划分,且每个区域的子单元数目与冗余单元的子单元数目相等;对每个区域的所有子单元进行性能测试,若该区域所有子单元性能全部合格,则在出错信息记录单元中存入合格,若该区域有子单元性能不合格,则在出错信息记录单元中存入不合格。换言之,本发明采用冗余单元为单位对测试结果进行记录,利用了冗余技术中采用冗余单元对存储器的包含该缺陷单元的多个单元整体进行替换的特点,降低了测试结果的数据量,避免了存储容量不足出现的溢出问题,提高了存储器的可靠性,同时本发明的技术方案使得固定容量的记录单元能测试更大容量的存储器。 | ||
搜索关键词: | 存储器 出错 信息 记录 方法 冗余 替代 | ||
【主权项】:
一种存储器的出错信息记录方法,其特征在于,包括:对存储器划分区域,每个所述区域的子单元数目与冗余单元的子单元数目相等;对每个区域的所有子单元进行性能测试,若该区域所有子单元性能全部合格,则在出错信息记录单元中存入合格,若该区域有子单元性能不合格,则在出错信息记录单元中存入不合格。
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