[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201210564245.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887343A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇;徐少颖;李田生;阎长江;李靖;田宗民 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其中，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底层绝缘层中的氢含量。本发明采用双层刻蚀阻挡层工艺制作薄膜晶体管，有效地降低了刻蚀阻挡层的氧化硅薄膜中的氢含量，避免硅烷分解产生的氢离子与有源层中的金属氧化物反应，使氧化物薄膜晶体管保持较优的特性，并提高了刻蚀阻挡层的薄膜沉积速率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其特征在于，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底层绝缘层中的氢含量。
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