[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及制造方法有效
| 申请号： | 201210564301.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887328B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 谢振清;李俊谊;周晓莲 | 申请（专利权）人： | 厦门天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L23/50;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及对应的制造方法。所述薄膜晶体管阵列基板将用于形成薄膜晶体管的源极、漏极以及阵列基板数据线的金属层形成在像素电极的透明导电层上，从而使得在制造过程中只需进行一次过孔的图案化工艺，同时，由于所述金属层与透明导电层层叠在一起，可以使用半透掩膜工艺一次刻蚀实现两层的图案化，由此，减少了掩膜曝光工艺的次数，降低了工艺难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；形成在所述基板上的有源层；覆盖所述有源层的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的图案化的第一金属层，所述第一金属层构成薄膜晶体管的栅极和阵列基板的栅线；覆盖所述栅极和栅线的保护层；设置在所述保护层上的图案化的第一透明导电层，所述第一透明导电层构成所述阵列基板的像素电极，设置在所述第一透明导电层上通过过孔与所述有源层导电连接的图案化的第二金属层，所述第二金属层构成薄膜晶体管的漏极和源极以及所述阵列基板的数据线，其中，所述第一透明导电层和第二金属层通过半透掩膜工艺一次刻蚀形成所述像素电极、薄膜晶体管的漏极和源极以及所述阵列基板的数据线，其中，图案化的所述第二金属层完全设置于所述第一透明导电层表面。
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