[发明专利]STI的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构（STI）的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法，其中浅沟槽隔离结构的制作工艺包括：利用HBr处理光刻胶，使得光刻胶硬度增强，同时在光刻胶的表面形成聚合物膜；利用含C-F基团或S-F基团的强腐蚀剂去除所述聚合物膜；利用光刻胶作为掩模进行刻蚀，在半导体衬底中形成底部平整的浅沟槽隔离结构的沟槽图形。本发明通过HBr处理使得光刻胶被坚硬化，再去除了HBr处理时形成的聚合物膜，避免了所述聚合物膜对后续刻蚀沟槽的影响，使得形成的隔离沟槽中形貌较好，没有尖角的产生，所述二氧化硅的填充过程中形成空洞的情况较少或者没有，减小了所述浅沟槽隔离结构漏电的情况，能实现符合要求的隔离效果。

主权项

一种STI的制作工艺，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成具有浅沟槽隔离结构图形的光刻胶；利用HBr处理所述光刻胶，以增强所述光刻胶的硬度；利用含C‑F基团或S‑F基团的腐蚀剂处理所述光刻胶，以去除所述HBr处理过程中形成在光刻胶表面的聚合物膜；利用光刻胶作为掩模进行刻蚀，在所述半导体衬底中形成底部平整的浅沟槽隔离结构的沟槽图形。