[发明专利]生长InP基InAs量子阱的方法无效
| 申请号： | 201210564366.2 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102983069A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 季海铭;罗帅;杨涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种生长InP基InAs量子阱的方法。该方法包括：在InP衬底上生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长两侧均包含In1-xGaxAs应力渐变势垒层的InAs量子阱结构；以及在InAs量子阱结构上生长InP盖层。本发明通过在InAs量子阱两侧引入晶格常数渐变的In1-xGaxAs应力渐变势垒层来减缓InAs量子阱所受到的压应变，减少材料中因应变累积释放而产生的缺陷浓度，改善了InAs量子阱材料的晶体质量，并拓展了InAs量子阱材料的发光波长。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 inp inas 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种生长InP基InAs量子阱的方法，其特征在于，包括：在InP衬底上生长InP缓冲层；在所述InP缓冲层上生长两侧均包含In1‑xGaxAs应力渐变势垒层的InAs量子阱结构；以及在所述InAs量子阱结构上生长InP盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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