[发明专利]延时电路有效
| 申请号： | 201210564382.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066962A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张勇;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/13 | 分类号： | H03K5/13;H03K17/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种延时电路，包括：第一开关单元，包括栅极连接至信号输入端的第一PMOS管和第一NMOS管；电流镜单元，包括参考电流源、第二PMOS管和第三PMOS管；充电电容，所述充电电容的一端连接所述第一NMOS管的漏极，另一端接入所述第二电压；第二开关单元，包括第三NMOS管、栅极均连接至所述第一NMOS管的漏极的第四PMOS管和第二NMOS管；缓冲器，所述缓冲器的输入端连接所述第三NMOS管的漏极，输出端作为所述延时电路的信号输出端。本发明的延时电路能够减小功率损耗、产生高精度的延时。 | ||
| 搜索关键词： | 延时 电路 | ||
【主权项】：
一种延时电路，其特征在于，包括：第一开关单元，包括栅极连接至信号输入端的第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一PMOS管的源极接入第一电压，所述第一NMOS管的源极接入第二电压，所述第一电压高于所述第二电压；电流镜单元，包括参考电流源、第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管的漏极与栅极相连并连接至所述第三PMOS管的栅极、源极接入所述第一电压，所述参考电流源的一端连接所述第二PMOS管的漏极、另一端接入所述第二电压，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极、源极连接所述第一NMOS管的漏极；充电电容，所述充电电容的一端连接所述第一NMOS管的漏极，另一端接入所述第二电压；第二开关单元，包括第三NMOS管、栅极均连接至所述第一NMOS管的漏极的第四PMOS管和第二NMOS管，所述第四PMOS管的源极接入所述第一电压、漏极与所述第三NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的源极接入所述第二电压、漏极与所述第三NMOS管的源极相连，所述第三NMOS管的栅极接入所述第一电压；缓冲器，所述缓冲器的输入端连接所述第三NMOS管的漏极，输出端作为所述延时电路的信号输出端。
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