[发明专利]MEMS器件的牺牲层、MEMS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201210564415.2 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103011052A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 不同于现有技术单独采用有机材料层作为MEMS器件的牺牲层的方案，本发明采用该有机材料层被图形化后，在其表面覆盖一层分解温度高于该有机材料层的覆盖层，以将后续淀积形成的结构材料层与有机材料层隔绝开来，起到防止高温淀积过程中该有机材料层分解逸出而造成机台腔体污染的作用。此外，该覆盖层的设置，也为有机材料层提供了更大材质选择范围。基于上述牺牲层，本发明还提供了包含该牺牲层的MEMS器件及该MEMS器件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 牺牲 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的牺牲层，其特征在于，包括：图形化的有机材料层及包覆在所述图形化的有机材料层上的覆盖层，所述覆盖层的分解温度高于所述有机材料层的分解温度。
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