[发明专利]一种提升单晶硅生长速度的导流筒在审
| 申请号： | 201210564957.X | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103882510A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘代军;黄华 | 申请（专利权）人： | 九州方园新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443300 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种提升单晶硅生长速度的导流筒，包括内导流筒、外导流筒，内导流筒与外导流筒之间设有隔热碳毡，所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧铺设有热辐射反射层。所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧构成一密封的腔体，隔热碳毡位于密封的腔体内。本发明一种提升单晶硅生长速度的导流筒，将硅棒和加热器辐射到导流筒上的热量均能及时传递走，加速了晶棒的冷却，实现拉晶速度的显著提高。提升生产效率的同时，降低能耗。另外，热辐射反射层由内、外导流筒将其封闭，杜绝了杂质对拉晶的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 单晶硅 生长 速度 导流 | ||
【主权项】：
一种提升单晶硅生长速度的导流筒，包括内导流筒（1）、外导流筒（2），内导流筒（1）与外导流筒（2）之间设有隔热碳毡（4），其特征在于，所述内导流筒（1）的外侧、外导流筒（2）的内侧铺设有热辐射反射层（3）。
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