[发明专利]五缺位过渡金属双七钨磷氧簇系列化合物及其制备方法无效
| 申请号： | 201210566657.5 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103011120A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张必松;殷之武;李云霞;施存元;吴昌胜;裘建平 | 申请（专利权）人： | 金华职业技术学院;浙江尖峰药业有限公司 |
| 主分类号： | C01B25/45 | 分类号： | C01B25/45;A61P35/00;A61P31/12;B01J31/18 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王从友 |
| 地址： | 321007 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于无机材料化学、无机药物化学和晶体工程学领域，尤其涉及五缺位过渡金属双七钨磷氧簇系列化合物及其制备方法。五缺位过渡金属双七钨磷氧簇系列化合物，该化合物具有以下的阴离子化合物单元，阴离子化合物单元的化学式为：[M（H（1-3）PW7O28）2]n-；所述的M为Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn；所述的n=10~14；本发明的优点在于：该化合物具有潜在的抗肿瘤、抗病毒活性。同时，该化合物在催化剂和分子基光、电、磁性材料等方面也具有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 缺位 过渡 金属 双七钨磷氧簇 系列 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.五缺位过渡金属双七钨磷氧簇系列化合物，其特征在于该化合物具有以下的阴离子化合物单元，阴离子化合物单元的化学式为：[M(H(1-3)PW7O28)2]n-；所述的M为Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn；所述的n=10~14；并且所述的M、P、W、O具有以下的结构式：![]()
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