[发明专利]离子注入系统有效
申请号: | 201210566738.5 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103887135A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 李超波;窦伟;邹志超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01L21/265 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种离子注入系统,包括隔板,所述隔板设置在所述基片台外围,且通过所述基片台与注入电极连接;所述隔板用于将所述离子注入腔室分隔为上离子注入腔室及下离子注入腔室,且在对样片进行离子注入时,所述隔板随注入电极的升降而上下移动。本发明提供的离子注入系统,增加可以随注入电极上下移动的隔板,有效控制腔室中气体进行起辉时所占腔室的比例,从而解决低密度气体在腔室中起辉的问题。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 系统 | ||
【主权项】:
一种离子注入系统,包括:一离子注入腔室,用于给所述离子注入系统提供真空注入环境;一近气喷嘴,所述近气喷嘴设于所述离子注入腔室的第一边上,所述近气喷嘴用于给所述离子注入系统提供注入气体;一出气口,所述出气口设于所述离子注入腔室的第二边上,所述出气口用于将所述注入气体抽离所述离子注入腔室,且,所述第一边与所述第二边为对边;一基片台,所述基片台包括第一部分和第二部分,其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内,用于给所述离子注入安置待注入样片;所述第二部分位于所述离子注入腔室外;一脉冲电源,所述脉冲电源与所述基片台的第二部分连接,用于给所述注入气体放电产生等离子体提供电源;一射频电源,所述射频电源与所述离子注入腔室连接,用于给所述离子注入提供射频电源;一组合泵,所述组合泵与所述出气口连接,所述组合泵用于通过出气口将反应后的注入气体抽走;一冷却系统,所述冷却系统用于对整个离子注入系统进行冷却;其中,所述离子注入系统还包括:隔板,所述隔板设置在所述基片台外围,且通过所述基片台与注入电极连接;所述隔板用于将所述离子注入腔室分隔为上离子注入腔室及下离子注入腔室,且在对样片进行离子注入时,所述隔板随注入电极的升降而上下移动。
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