[发明专利]一种四膜结构硅微流量传感器芯片有效
| 申请号： | 201210567518.4 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103090914A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;陈佩;李一瑶 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01F1/56 | 分类号： | G01F1/56;B81B7/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种四膜结构硅微流量传感器芯片，包括四个梯形硅膜，梯形硅膜位于外围支撑硅基的中间，梯形硅膜的长边与外围支撑硅基相连，每个梯形硅膜上靠近长边中央配置有一个压阻条，四个压阻条构成惠斯通电桥，当一定速度流体作用于传感器芯片时，将有惯性力作用于梯形硅膜，并使得梯形梁膜结构发生变形，压阻条在梯形硅膜的应力作用下其阻值发生变化，惠斯通电桥失去平衡，输出一个与外界流量相对应的电信号，从而实现传感器芯片对流量的测量，本发明具有体积小，重量小，响应速度快和高灵敏度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膜结构 流量传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种四膜结构硅微流量传感器芯片，包括外围支撑硅基（2），在外围支撑硅基（2）的背面配置有玻璃衬底（3），外围支撑硅基（2）的背面与玻璃衬底（3）进行键合连接，其特征在于，四个梯形硅膜（1）位于外围支撑硅基（2）的中间，梯形硅膜（1）长边分别与外围支撑硅基（2）相连，每个梯形硅膜（1）上的靠近长边中央配置有一个压阻条（4），四个压阻条（4）构成惠斯通电桥，四个梯形硅膜（1）共同构成传感器测量部位；所述四个梯形硅膜（1）之间存在150‑170μm间隙以使梯形硅膜（1）悬空，并可以使流体顺利通过，所述的四个梯形硅膜（1）的厚度相同；四个梯形硅膜（1）关于外围支撑硅基（2）的中轴线两两对称。
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