[发明专利]高性能调幅无线话筒无效
申请号: | 201210567535.8 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103037295A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 周芸 | 申请(专利权)人: | 周芸 |
主分类号: | H04R19/01 | 分类号: | H04R19/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种高性能调幅无线话筒。该无线话筒的技术特征包括9V直流电源、拾音电路、一级音频放大电路、二级音频放大电路、调幅波振荡及发射电路。社会上拥有量最多的是调幅收音机,这给推广使用调幅波无线话筒提供了很大的方便。本发明电路中的振荡器具有调制特性好,能产生频率比较集中的调幅信号,这样的信号比用其它方法调制出的无线电信号保真度要高得多。调幅波无线话筒在会议、音乐教学等场合上可发挥很大作用。它把声音信号变为调幅无线电信号发射出来,由普通调幅收音机接收后,再将调幅波还原成声音信号播放出来。本发明振荡频率稳定不易跑频、发射半径大于11m,该无线话筒在使用时无需外接天线。 | ||
搜索关键词: | 性能 调幅 无线 话筒 | ||
【主权项】:
一种高性能调幅无线话筒,它包括9V直流电源、拾音电路、一级音频放大电路、二级音频放大电路、调幅波振荡及发射电路,其特征在于:所述的拾音电路由驻极体话筒MIC和电容C1组成,驻极体话筒MIC中的场效应管漏极D接电容C1的一端,驻极体话筒MIC的金属外壳与驻极体话筒MIC中的场效应管源极S及电路地GND相连;所述的一级音频放大电路由NPN型三极管VT1、电阻R1、电阻R2、电解电容C3组成,NPN型三极管VT1的基极接电容C1的另一端,NPN型三极管VT1的集电极接电阻R1的一端和电容C2的一端,电阻R1的另一端接9V直流电源正极VCC,NPN型三极管VT1的发射极接电阻R2的一端和电解电容C3的正极,电阻R2的另一端和电解电容C3的负极接电路地GND; 所述的二级音频放大电路由NPN型三极管VT2、电阻R3、电阻R4、电阻R5组成,NPN型三极管VT2的基极接电容C2的另一端、电阻R3的一端和电阻R4的一端,电阻R3的另一端接9V直流电源正极VCC,电阻R4的另一端接电路地GND,NPN型三极管VT2的发射极通过电阻R5接电路地GND;所述的调幅波振荡及发射电路由NPN型三极管VT3、电阻R6、电阻R7和电容C4、可变电容CP和高频振荡线圈L1组成,NPN型三极管VT3的基极接电阻R6的一端、电阻R7的一端和电容C4的一端,电阻R6的另一端接9V直流电源正极VCC,电阻R7的另一端和电容C4的另一端与电路地GND相连,NPN型三极管VT3的集电极接可变电容CP的一端和高频振荡线圈L1的一端,可变电容CP的另一端和高频振荡线圈L1的另一端接9V直流电源正极VCC,NPN型三极管VT3的发射极接NPN型三极管VT2的集电极。
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