[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。在MOS栅极结构在FZ晶片的正面形成之后，研磨FZ晶片的背面。然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成N＋第一缓冲层2以及N第二缓冲层12。然后，P＋集电极层3以及集电电极9在经质子照射表面形成。从N＋第一缓冲层2的净掺杂浓度被局部最大化的位置到P＋集电极层3与N第二缓冲层12之间界面的距离被设置为在大于等于5μm且小于等于30μm的范围内。

主权项

一种半导体器件，包括：由第一导电型的半导体衬底构成的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，该第二半导体层的浓度比所述第一半导体层高并且在所述第一半导体层的第一主表面侧；所述第一或第二导电型的第三半导体层，该第三半导体层的浓度比所述第一半导体层高并且在所述第一半导体层的第二主表面侧；在所述第一半导体层中的至少一个所述第一导电型的第四半导体层，该第四半导体层的浓度比所述第一半导体层高但比所述第三半导体层低；其中，所述第四半导体层包括轻致供体，该氢致供体通过从所述第二主表面注入的质子照射形成，所述半导体装置所具有的所述第四半导体层中，通过使结晶性从导致载流子迁移率下降的质子照射损伤得以恢复，所述第四半导体层中的距离所述第二主表面为所述质子投影射程的位置处的参杂浓度比所述半导体衬底高。