[发明专利]嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法，该方法在炉管生长SONOS存储器的ONO介电质层之前，进行以下步骤1）Flash存储单元和5V耗尽器件的光刻；2）在Flash存储单元和5V耗尽器件的沟道区注入砷和硼；3）湿法去除Flash存储单元和5V耗尽器件沟道表面的氧化层。本发明通过版图上的改变，使用Flash存储单元沟道注入掩膜版同时打开Flash存储单元和5V耗尽器件的沟道区域，然后通过调节Flash存储单元沟道区域的注入条件来调节5V耗尽器件和Flash存储单元的阈值电压，如此就减少了一层DVTN掩膜的使用。

主权项

嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法，其特征在于，在生长SONOS存储器的ONO介电质层之前，进行以下步骤：1)通过光刻形成闪存存储单元和5V耗尽器件的结构；2)在闪存存储单元和5V耗尽器件的沟道区域同时注入砷和硼；3)去除闪存存储单元和5V耗尽器件的沟道表面的氧化层。