[发明专利]MIS型半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210567894.3 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103178099A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 园山贵广;冈彻 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供MIS型半导体器件及其制造方法。具体而言，本发明提供了一种具有ZrOxNy栅极绝缘膜的其中阈值电压稳定的MIS型半导体器件。在具有5V或更大的工作电压的、具有在Si半导体层上的栅极绝缘膜和在栅极绝缘膜上的栅电极的MIS型半导体器件中，栅极绝缘膜由ZrOxNy(在此，x和y满足以下条件：x＞0，y＞0，0.3≤y/x≤10以及1.5≤0.55x+y≤1.7)形成。由于即使在施加大电压时阈值电压也不波动，因此，具有这样的栅极绝缘膜的MIS型半导体器件能够稳定地操作。 | ||
| 搜索关键词： | mis 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有5V或更大的工作电压的MIS型半导体器件，包括：在半导体层上的由ZrOxNy形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的栅电极；其中所述栅极绝缘膜处于非晶状态；以及所述栅极绝缘膜的组成比x和y满足x＞0，y＞0以及0.3≤y/x≤10。
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