[发明专利]具有改进的效率和下降率的III‑V族化合物器件有效
| 申请号： | 201210568458.8 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103682000B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李镇宇;林弘伟;林忠宝;夏兴国;郭浩中 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种照明装置。该照明装置包括n掺杂半导体化合物层、与n掺杂半导体化合物层间隔开的p掺杂半导体化合物层以及设置在第一半导体化合物层和第二半导体化合物层之间的多量子阱(MQW)。MQW包括多个交替的第一层和第二层。MQW的第一层具有基本均匀的厚度。第二层具有关于离p掺杂半导体化合物层的距离的阶梯式厚度。最邻近p掺杂半导体化合物层的第二层的子集掺杂有p型掺杂剂。该掺杂第二层具有相对于离p掺杂半导体层的距离改变的阶梯式掺杂浓度等级。本发明还提供了具有改进的效率和下降率的III‑V族化合物器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 效率 下降 iii 化合物 器件 | ||
【主权项】：
一种光子器件，包括：n型III‑V族层，设置在衬底上方；p型III‑V族层，设置在所述n型层上方；多量子阱(MQW)层，设置在所述n型III‑V族层和所述p型III‑V族层之间；其中，所述多量子阱(MQW)层包括交错的多个有源层和多个势垒层；所述有源层具有均匀的厚度；距离所述p型III‑V族层最近的至少三个势垒层的厚度随着其愈接近该p型III‑V族层而愈薄；以及其中，所述距离所述p型III‑V族层最近的至少三个势垒层掺杂有p型掺杂剂以及被掺杂的所述势垒层的掺杂浓度随着所述势垒层和所述p型III‑V族层之间距离变小而增加。
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