[发明专利]具有垂直功率MOS晶体管的集成电路

摘要

本发明公开了具有垂直功率MOS晶体管的集成电路，其中，该集成电路包括形成在相同半导体管芯中的多个横向器件和准垂直器件。准垂直器件包括两个沟槽。在第一漏极/源极区和第二漏极/源极区之间形成第一沟槽。第一沟槽包括形成在第一沟槽的底部中的介电层和形成在第一沟槽的上部中的栅极区。第一沟槽和第二沟槽形成在第二漏极/源极区的相对侧上。第二沟槽耦合在第二漏极/源极区和隐埋层之间，其中，第二沟槽具有与第一沟槽相同的深度。

主权项

一种半导体器件，包括：第一垂直晶体管，包括：形成在第一导电性的衬底之上的第二导电性的第一区；自所述第一区生长的第二区；形成在所述第二区中的所述第一导电性的第三区；形成在所述第三区中的所述第二导电性的第一漏极/源极区；第一沟槽，包括：形成在所述第一沟槽的底部中的介电层；和形成在所述第一沟槽的上部中的栅极区；所述第二导电性的第二漏极/源极区，形成在所述第二区中并且所述第二漏极/源极区与所述第一漏极/源极区位于所述第一沟槽的相对侧；和第二沟槽，耦合在所述第二漏极/源极区和所述第二区之间，所述第二沟槽的深度与所述第一沟槽的深度相同；以及多个横向晶体管，形成在所述衬底之上的所述第二区中。