[发明专利]基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法有效
| 申请号： | 201210568966.6 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103033880A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 檀亚松;余辉;郝寅雷;李宇波;杨建义;江晓清 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法。在SOI片上的脊波导两侧开有与脊波导平行且等距分布的一排方孔，通过方孔掏去脊波导正下方高损耗的埋氧层，实现中长红外undercut型脊波导结构；或者在SOI片上的脊波导中央刻蚀出狭缝形成slot波导，通过狭缝掏去slot波导正下方高损耗的埋氧层，实现中长红外undercut型slot波导结构。本发明制作的两种波导结构有着很低的传输损耗；其中undercut型slot波导，它的光场主要限制在低折射率的狭缝中，若将在中长红外波段存在特征吸收的化学物质填充在狭缝中，则可构成一个中长红外吸收型传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 材料 制备 中长 红外 undercut 波导 方法 | ||
【主权项】：
一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法，其特征在于：在SOI片上的脊波导两侧开有与脊波导平行且等距分布的一排方孔（4），通过方孔（4）掏去脊波导正下方高损耗的埋氧层（2），实现中长红外undercut型脊波导结构；或者在SOI片上的脊波导中央刻蚀出狭缝（5）形成slot波导，通过狭缝（5）掏去slot波导正下方高损耗的埋氧层（2），实现中长红外undercut型slot波导结构。
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