[发明专利]一种高Q值微型圆形谐振腔器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210570246.3 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103018827A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王永进;施政;于庆龙;陈佳佳;高绪敏;贺树敏 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件，采用SOI晶片作为载体，所述SOI晶体从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层；所述顶层硅器件层刻蚀有一个C型谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列，其中，一个光波导的一端与C型谐振腔的开口连接，另一个光波导的一端与C型谐振腔的外周连接；光子晶体阵列由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成，围绕C型谐振腔和光波导规则排列；每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成，两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。此种器件可实现对入射光的二次选频，提高器件的Q值。本发明还公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 圆形 谐振腔 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高Q值微型圆形谐振腔器件，采用SOI晶片作为载体，所述SOI晶片从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层；其特征在于：所述顶层硅器件层刻蚀有一个带开口的谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列，其中，谐振腔由中间的氧化埋层作为支撑，一个光波导的一端与谐振腔的开口连接，且该光波导的轴线与谐振腔的开口切线垂直，而另一个光波导的一端与谐振腔的外周连接，且两个光波导呈垂直设置；光子晶体阵列呈正方形，由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成，且围绕谐振腔和光波导规则排列，并使谐振腔位于该光子晶体阵列的中心，且光波导与所述光子晶体阵列的边缘垂直；每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成，两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。
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