[发明专利]半导体器件及其方法有效
| 申请号： | 201210570406.4 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103066127A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 乔瓦尼·卡拉布雷塞;多玛格杰·西普拉克;沃尔夫冈·莫尔泽尔;乌韦·霍戴尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其方法，具体而言，涉及一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件和与沟槽隔离相关联的器件、方法和技术。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种包括沟槽的半导体器件，所述沟槽具有小于5埃的半导体表面粗糙度。
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