[发明专利]一种薄膜晶体管的制备工艺

摘要

一种底栅结构的双电层ITO薄膜晶体管的制备工艺，包括：清洁衬底步骤；制备栅极步骤；制备绝缘层步骤；ITO沟道层的沉积步骤；源、漏极的制备步骤。上述制备绝缘层步骤、ITO沟道层的沉积步骤以及源、漏极的制备步骤均在室温下进行。

主权项

一种底栅结构的双电层ITO薄膜晶体管的制备工艺，其特征在于，包括：清洁衬底步骤；制备栅极步骤，分别用丙酮和乙醇进行超声波清洗10分钟，除去硅片上的有机物和油迹，再用去离子水把残留在硅片上的丙酮和乙醇清洗掉，最后在80℃干燥箱内烘干；制备绝缘层步骤，把处理好的硅片放入PECVD的真空室内，用机械泵和罗茨泵把真空室的气压抽至10Pa以下，通入的反应气体为氧气和硅烷，同时通入惰性气体氩气作为保护气体以及电离气体；ITO沟道层的沉积步骤，在沉积好介孔Si02的衬底上，采用射频磁控溅射沉积ITO沟道层，溅射时的本底真空为3×10‑3Pa，极限真空为1×10‑5Pa，溅射气体为氧气和氩气的混合气体，其中O2的流量占总气流的6％至10％，工作气压为0.5pa，溅射功率为100W；源、漏极的制备步骤，用掩模法，采用射频磁控溅射沉积完成的，溅射时的本底真空为3×10‑3Pa，极限溅射气体为氩气，工作气压为0.5pa，溅射功率为100W。