[发明专利]光栅的制备方法有效
| 申请号： | 201210571020.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103901516A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00;C03C15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构；刻蚀所述掩模层，使所述凸起结构的顶端两两靠在一起而闭合；刻蚀所述基底，使所述基底的表面图案化，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成多个三维纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一硅基底；在所述硅基底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构；沿垂直于硅基底表面的方向采用惰性气体等离子体轰击所述掩模层，使所述多个条形凸起结构的顶端两两靠在一起而闭合；沿垂直于硅基底表面的方向采用感应耦合等离子体刻蚀所述硅基底和所述掩模层，使所述硅基底的表面图案化，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成多个三维纳米结构。
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