[发明专利]半导体器件特征密度梯度检验有效
| 申请号： | 201210571197.5 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103226624A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 彭永州;陈重辉;陈建宏;康伯坚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种用于检验在半导体器件布局中存在的可接受的器件特征密度和器件特征差异的方法。提供了用于将器件布局划分为多个窗口并且测量或者确定每个窗口内的器件特征密度的方法。器件布局包括各个器件区域并且该方法提供了将一个区域内的平均器件特征密度与周围区域或者其他区域内的平均器件特征密度进行比较并且还提供了确定器件特征密度的梯度。可以从特定器件区域至周围区域监控梯度。用于实施该方法的指令可以存储在计算机可读存储介质上并且通过处理器执行这些指令。本发明还提供了半导体器件特征密度梯度检验。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 特征 密度 梯度 检验 | ||
【主权项】：
一种用于检验半导体器件布局的密度的方法，所述方法包括：接收半导体器件的器件层的第一设计布局，所述半导体器件包括器件特征；将所述第一设计布局的至少一部分划分为多个窗口；确定所述多个窗口的每个窗口中的所述器件特征的密度；以及确定表征所述第一设计布局的密度指数，所述密度指数包括所述第一设计布局中的所述半导体器件的部分之间的第一器件特征密度梯度和第一器件特征密度差异中的至少一个。
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