[发明专利]应用于非易失性存储器的一位存储单元及其相关控制方法有效

专利信息
申请号: 201210571629.2 申请日: 2012-12-25
公开(公告)号: CN103633095A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 吴孟益;温岳嘉;陈信铭;杨青松 申请(专利权)人: 力旺电子股份有限公司
主分类号: H01L27/112 分类号: H01L27/112;H01L23/525;G11C17/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明为一种应用于非易失性存储器的一位存储单元。一位存储单元具有一位线连接至串接的多个储存单元。每一个储存单元包括:一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一第三掺杂区依序形成于一基板的一表面上,该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的一第一通道区上方具有一第一栅极结构并连接至一控制信号线。该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的一第二通道区上方具有一第二栅极结构并连接至一反熔丝信号线。
搜索关键词: 应用于 非易失性存储器 一位 存储 单元 及其 相关 控制 方法
【主权项】:
一种非易失性存储器,具有一第一一位存储单元形成于一基板上,该第一一位存储单元包括:一第一位线;以及N个储存单元,每一该储存单元包括:一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一第三掺杂区依序形成于该基板的一表面上,该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的一第一通道区上方具有一第一栅极结构,该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的一第二通道区上方具有一第二栅极结构;其中,该N个储存单元中的一第一储存单元的该第一掺杂区连接至该第一位线,该第一栅极结构连接至一第一控制信号线,该第二栅极结构连接至一第一反熔丝信号线;以及,该N个储存单元中的一第m储存单元中的该第一掺杂区连接至一第(m‑1)储存单元中的该第三掺杂区,该第一栅极结构连接至一第m控制信号线,该第二栅极结构连接至一第m反熔丝信号线,且m为大于等于二且小于等于N的整数。
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