[发明专利]侧壁结构的可切换电阻器单元无效
| 申请号： | 201210572290.8 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102983273A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | R·E·朔伊尔莱因 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极（28），在该第一导电电极上形成绝缘结构（13），在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件（14），在该电阻率切换元件上形成第二导电电极（26），以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电阻率切换元件串联的导向元件（22），其中该电阻率切换元件在从第一导电电极到第二导电电极的第一方向上的高度大于该电阻率切换元件在与第一方向垂直的第二方向上的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 结构 切换 电阻器 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器器件，包括：第一导电电极；绝缘结构；位于所述绝缘结构的侧壁上的电阻率切换元件；位于所述电阻率切换元件上的第二导电电极；位于所述第一导电电极和所述第二导电电极之间，与所述电阻率切换元件串联的导向元件；其中所述电阻率切换元件在从所述第一导电电极到所述第二导电电极的第一方向上的高度大于所述电阻率切换元件在与所述第一方向垂直的第二方向上的厚度，以及其中所述绝缘结构包括多个绝缘轨道，并且所述电阻率切换元件位于至少一个绝缘轨道的侧壁上并且与暴露在邻近轨道之间的所述第一导电电极接触。
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