[发明专利]制备太阳能电池的方法及所制成的太阳能电池无效
申请号: | 201210572769.1 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103904153A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 岳强;王瑞萍 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及制备太阳能电池的方法及所制成的太阳能电池。所述制备太阳能电池的方法包括用于选择性发射极形成的扩散方法,其中,该扩散方法包括:执行第一驱动以将第一掺杂浆料中的掺杂原子驱入到晶片的预定区域中;执行预氧化以在晶片表面上生成硅氧化物;执行沉积以利用第二掺杂源在晶片表面上形成磷硅玻璃;以及执行第二驱动步骤以将所述磷硅玻璃中的掺杂原子驱入到晶片中。根据本发明,在太阳能电池的制造过程中有助于防止形成选择性扩散区的浆料残留于晶片上,并能够在现有生产线中形成具有所期望的性能的扩散区而不会导致额外的成本。 | ||
搜索关键词: | 制备 太阳能电池 方法 制成 | ||
【主权项】:
一种制备太阳能电池的方法,包括用于选择性发射极形成的扩散方法,所述扩散方法包括以下步骤:执行第一驱动以将第一掺杂浆料中的掺杂原子仅驱入到晶片的预定区域中;执行预氧化以在晶片表面上生成硅氧化物;执行沉积以利用第二掺杂源在晶片表面上形成磷硅玻璃;以及执行第二驱动以将所述磷硅玻璃中的掺杂原子驱入到晶片中。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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