[发明专利]一种LED外延结构的生长方法及其设备无效
| 申请号： | 201210574784.X | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904169A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 林翔 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 314300 浙江省海盐*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED制备技术领域，这种LED外延结构的生长方法包括步骤Ⅰ：在第一反应腔中，在生长有第一半导体层的基底上生长量子阱层；然后在所述量子阱层上生长用于防止所述量子阱层受污染的隔离层。步骤Ⅱ：将所述生长有隔离层的基底通过转移通道转移到第二反应腔中，刻蚀隔离层后生长第二半导体层。本发明还提供这种外延结构生长设备，包括样品台以及用于所述样品台从一反应腔转移至另一反应腔的转移通道，所述转移通道充有保护气体，且控制所述保护气体压强不高于所述任一反应腔内的压强。本发明能提高量子阱层的稳定性能，大大加强LED的产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 生长 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤Ⅰ：在第一反应腔中，在生长有第一半导体层的基底上生长量子阱层；然后在所述量子阱层上生长用于防止所述量子阱层受污染的隔离层。步骤Ⅱ：将所述生长有隔离层的基底通过转移通道转移到第二反应腔中，刻蚀隔离层后生长第二半导体层。
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