[发明专利]具有凸透镜结构的像元结构及制造方法有效
申请号: | 201210575632.1 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103066090B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 赵宇航;康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种本发明的具有凸透镜结构的像元结构及制造方法,该像元结构包括硅衬底上的光敏元件和用于标准CMOS器件的多层结构,该光敏元件的上方具有向下凸的下凸透镜和向上凸的上凸透镜,该上凸透镜位于下凸透镜的上方,并与下凸透镜组成全凸透镜。本发明可以有效降低光损失,提高像元的灵敏度,提升芯片的性能和可靠性,并大幅度降低芯片成本。 | ||
搜索关键词: | 具有 凸透镜 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有凸透镜结构的像元结构,其特征在于:其包括硅衬底上的光敏元件和用于标准CMOS器件的多层结构,该光敏元件的上方具有向下凸的下凸透镜和向上凸的上凸透镜,该上凸透镜位于下凸透镜的上方,并与下凸透镜组成全凸透镜;其中,所述多层结构包括CMOS工艺器件、接触孔层、铜互连线层以及PAD钝化层,所述多层结构的顶面的上设有容纳下凸透镜的容纳层,该容纳层具有凹槽,该下凸透镜设于该凹槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的