[发明专利]成膜方法无效

专利信息
申请号: 201210576019.1 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103184426A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 大下健太郎;小堆正人 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;H01L21/31
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种成膜方法。该成膜方法包括以下步骤:将基板载置于以能够旋转的方式设置于真空容器内的旋转台的基板载置部;成膜步骤,通过使上述旋转台旋转而使载置于该旋转台的上述基板交替地暴露于含钛气体和与该含钛气体反应的含氮气体,从而在上述基板上形成氮化钛膜;暴露步骤:使形成有上述氮化钛膜的上述基板暴露于上述含氮气体,反复进行上述成膜步骤和上述暴露步骤。
搜索关键词: 方法
【主权项】:
一种成膜方法,其包括如下步骤:成膜步骤:通过使具有基板载置部且以能够旋转的方式设置于真空容器内的旋转台旋转,使载置于该旋转台的上述基板载置部的基板交替地暴露于含钛气体和与该含钛气体反应的含氮气体,从而在上述基板上形成氮化钛膜;暴露步骤:使形成有上述氮化钛膜的上述基板暴露于上述含氮气体,通过反复进行上述成膜步骤和上述暴露步骤来形成所期望的膜厚的氮化钛膜。
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