[发明专利]AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件的制备方法

摘要

本发明属于压电薄膜材料领域，具体涉及一种AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是：以自支撑金刚石膜为衬底基片，清洗后送入气相沉积反应室，向反应室内通入氮气、三甲基铝、三甲基镓和二乙基锌，在衬底基片上沉积厚度为80-120nm的GAZO膜，然后再通入三甲基铝，在载有GAZO膜的衬底基片上沉积800nm厚的AlN薄膜，待气相沉积反应室内降至室温时，打开沉积室，得到AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件。本发明方法简单，工艺易于控制，本发明制备的压电薄膜器件均匀性好，声速传输性能优异，可用于制造大功率，高频率的声表面波滤波器件。

主权项

一种AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：（1）以自支撑金刚石膜为衬底基片，依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗衬底基片，用氮气吹干送入气相沉积反应室；（2）将气相沉积反应室抽真空至8.0×10‑4 Pa，将基片加热至485℃，向反应室内通入流量为80‑200sccm的氧气、流量为0.3‑2.0sccm的三甲基铝、流量为0.5‑2.0sccm的三甲基镓和流量为0.6‑3.0sccm的二乙基锌，控制微波功率为600W，在衬底基片上沉积厚度为80‑120nm的GAZO膜；（3）沉积结束后停止通入三甲基铝、三甲基镓和二乙基锌，用氮气清洗气相沉积反应室，然后通入流量为0.3‑2.0sccm的三甲基铝，并控制氮气流量为80‑150sccm，将衬底基片进行加热至500‑900℃，控制微波功率为600W，在载有GAZO膜的衬底基片上沉积800nm厚的AlN薄膜，待气相沉积反应室内降至室温时，打开沉积室，得到AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件。