[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210576088.2 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103247523A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 解子颜;张铭庆;张家维;陈昭成;李俊鸿;吴岱霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例包括一种方法：提供衬底；将多晶硅层形成在衬底上方；将第一光刻胶层形成在多晶硅层上方；在第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的某些部分被第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的某些部分没有被第一光刻胶层覆盖；将离子注入到没有被第一光刻胶层覆盖的多晶硅层的部分中；从多晶硅层去除第一光刻胶层；以及使用蚀刻剂去除多晶硅层的部分。本发明还提供了半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：提供衬底；将多晶硅层形成在所述衬底上方；将第一光刻胶层形成在所述多晶硅层上方；在所述第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的一些部分被所述第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的一些部分没有被所述第一光刻胶层覆盖；将离子注入到所述多晶硅层没有被所述第一光刻胶层覆盖的部分；从所述多晶硅层去除所述第一光刻胶层；将第二光刻胶层形成在所述多晶硅层上方；在所述第二光刻胶层上方制造第二图案，其中，所述多晶硅层的一些部分被所述第二光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的一些部分没有被所述第二光刻胶层覆盖；将离子注入到所述多晶硅层没有被所述第二光刻胶层覆盖的部分中；从所述多晶硅层去除所述第二光刻胶层；使用蚀刻剂去除部分所述多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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