[发明专利]一种硅基锗外延结构及其应用有效
| 申请号： | 201210576133.4 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103022214A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;郭浩;陈洪钧;张雄;常虎东;薛百清;韩乐;王盛凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；于刻蚀该Ge基外延薄膜的外侧直至该Ge/Si缓冲层中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于该Ge基外延薄膜的上表面中心部分制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该Ge基外延薄膜上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基锗 外延 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器，其特征在于，包括：n型Si衬底(101)；于该n型Si衬底(101)形成的Ge/Si缓冲层(102)；于该Ge/Si缓冲层(102)上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体(104)；在该光子晶体(104)上形成的Ge基外延薄膜(105)；于刻蚀该Ge基外延薄膜(105)的外侧直至该Ge/Si缓冲层(102)中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al(103)；于该Ge基外延薄膜(105)的上表面中心部分制备的P型Si接触电极(107)；以及在被刻蚀后的该Ge基外延薄膜(105)上形成的钝化层(106)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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