[发明专利]ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法

摘要

一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；（2）将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氩气携带的二乙基锌、氩气携带的三甲基镓、氩气携带的三甲基铝和氧气，氧气、二乙基锌、三甲基镓和三甲基铝流量比为（100~150）：（4~8）:（1~2）:1，由质量流量计控制；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应30min~3h,得到Ga、Al共同掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓铝共同的掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有电阻率低，透光性能好、廉价、易于实现大面积生产的产业化的优势。

主权项

一种ECR‑PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；（2）采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10‑3 Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氩气携带的二乙基锌、氩气携带的三甲基镓、氩气携带的三甲基铝和氧气，氧气、二乙基锌、三甲基镓和三甲基铝流量比为（100~150）：（4~8）:（1~2）:1，由质量流量计控制；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应30min~3h, 得到Ga、Al共同掺杂ZnO光电透明导电薄膜。