[发明专利]一种场发射阴极的处理方法无效
| 申请号： | 201210576479.4 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103050349A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 于正友;肖太升;刘雷 | 申请（专利权）人： | 青岛盛嘉信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 266071 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射阴极的处理方法，包括：通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室;样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯钛膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射阴极的处理方法：将硅片裁成20mm×20mm基片，清洗干净；化学气相沉积法制备MWCNT；取纯化后的MWCNT粉末在无水乙醇中用超声波分散，室温下自然晾干并充分研磨，再与有机载体混合搅拌1~2小时后作为阴极浆料；在玻璃基板上印制一层60rnm×25mm面积的银浆薄膜电极；银浆尚未干燥时，及时用涂敷法在其表面制备10nunx10mm的MWCNTs薄膜，并用机械压力反复压制；晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并对制好的试样进行高温烧结；待炉温自然冷却后，在样品上焊接四根导线，并通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室;样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯钛膜。
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