[发明专利]一种基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器无效

专利信息
申请号: 201210576645.0 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103063238A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 夏历;李乐成;彭颖;解振海;刘德明 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01D5/26 分类号: G01D5/26;G02B6/255
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 周发军
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器,包括第一单模光纤、多模光纤、细微结构光纤和第二单模光纤,所述第一单模光纤-多模光纤-细微结构光纤-第二单模光纤顺序组合熔接;所述第一单模光纤的芯层小于多模光纤的芯层,所述多模光纤的芯层与细微结构光纤的芯层和部分包层熔接;所述细微结构光纤的芯层小于第二单模光纤的芯层。本发明首次设计了一种结构非常简单,价格便宜,只利用简单的熔接方法即可实现的全光纤传感器。其传感应用领域也非常广泛,可实现对外界温度,折射率,液面,以及轴向应力的等参量的测量。有助于推动全光纤传感器实现大规模的生产应用。
搜索关键词: 一种 基于 马赫 曾德尔 干涉 光纤 传感器
【主权项】:
一种基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器,其特征在于,所述全光纤传感器包括:第一单模光纤、多模光纤、细微结构光纤和第二单模光纤,所述第一单模光纤‑多模光纤‑细微结构光纤‑第二单模光纤顺序组合熔接;所述第一单模光纤的芯层小于多模光纤的芯层,所述第一单模光纤的芯层和部分包层,与多模光纤的芯层熔接;所述多模光纤的芯层与细微结构光纤的芯层和部分包层熔接;所述细微结构光纤的芯层小于第二单模光纤的芯层,所述第二单模光纤的芯层与细微结构光纤的芯层和部分包层熔接;所述第一单模光纤、第二单模光纤分别作为光源的入射光纤和透射光纤。
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