[发明专利]沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201210576914.3 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103000534B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 贾璐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法包括叠层形成步骤，在衬底上依次形成外延层、二氧化硅层、氮化硅层以及硬掩膜层；凹槽刻蚀步骤，形成硬掩膜层的图案并利用形成图案的硬掩膜层在氮化硅层、二氧化硅层和外延层的叠层中形成凹槽；硬掩膜去除步骤，通过湿法刻蚀去除硬掩膜层；牺牲氧化层形成步骤，在凹槽内的侧壁和底部形成牺牲氧化层；牺牲氧化层去除步骤，在凹槽内的侧壁和底部去除牺牲氧化层；栅极氧化层形成步骤，在凹槽内的侧壁和底部形成栅极氧化层；多晶硅沉积步骤，在氮化硅层的表面上以及凹槽内沉积多晶硅层；多晶硅层刻蚀和研磨步骤，对多晶硅层进行刻蚀，然后对多晶硅层进行化学机械研磨从而仅仅留下凹槽中的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 功率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法，其特征在于包括：叠层形成步骤，用于在衬底上依次形成外延层、二氧化硅层、氮化硅层以及硬掩膜层；凹槽刻蚀步骤，用于形成硬掩膜层的图案并利用形成图案的硬掩膜层在氮化硅层、二氧化硅层和外延层的叠层中形成凹槽；硬掩膜去除步骤，用于通过湿法刻蚀去除硬掩膜层；牺牲氧化层形成步骤，用于在凹槽内的侧壁和底部形成牺牲氧化层；牺牲氧化层的去除步骤，用于在凹槽内的侧壁和底部去除牺牲氧化层；栅极氧化层形成步骤，用于在凹槽内的侧壁和底部形成栅极氧化层；多晶硅沉积步骤，用于在氮化硅层的表面上以及凹槽内沉积多晶硅层；多晶硅层刻蚀和研磨步骤，用于对多晶硅层进行刻蚀，然后对多晶硅层进行化学机械研磨从而仅仅留下凹槽中的多晶硅；研磨停止于二氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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